Аннотация: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Автор/составитель	Красников Геннадий Яковлевич
Серия	Мир электроники
Год выпуска	2011
ISBN	978-5-94836-289-2
Производитель	Техносфера
Дата выпуска	2011 г.
Издание	2
Количество томов	1
Количество страниц	800
Переплет	твердый
Формат	70x100/16 (170x240 мм)
Тираж	1000
Стандарт	5
Вес	1225
Область образования	информатика, электроника, связь
Тип материала	научные издания, теории