Аннотация: Технология выращивания кристаллов нитрида галлия

Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.

Серия	Мир радиоэлектроники
Год выпуска	2011
ISBN	978-5-94836-293-9
Производитель	Техносфера
Количество томов	1
Количество страниц	384
Переплет	Твёрдый переплёт
Размеры	260x195x29 мм
Цвет	Белый
Тип бумаги	офсетная (60-220 г/м2)
Вес	847
Язык	русский