Google 
Аннотация: Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов
Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.
| Автор/составитель | Александрова Ольга Анатольевна, Лебедев Андрей Олегович, Мараева Евгения Владимировна |
| Серия | Радиоэлектроника и приборостроение |
| Год выпуска | 2023 |
| ISBN | 978-5-507-45481-5 |
| Производитель | Лань |
| Количество томов | 1 |
| Количество страниц | 216 |
| Переплет | Твёрдый переплёт |
| Размеры | 243x170x14 мм |
| Цвет | Белый |
| Тип бумаги | офсетная (60-220 г/м2) |
| Вес | 412 |
| Язык | русский |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов
- Модель: MYSH4962858
- ISBN: 978-5-507-45481-5
- Наличие:
-
Срок доставки: 21 день
- (5 оценок)
