Бесплатная Доставка от 55,- €

Аннотация: Труды ФТИАН. Том 20. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования на-нотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.

Читать далее →

Бесплатная Доставка по Европе (EU)*

*Для заказов свыше 40,- евро  Подробнее

Труды ФТИАН. Том 20. Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника. Физика, технология, диагностика

-38%
  • Производитель: Наука
  • Модель: MYSH4597622
  • ISBN 978-5-02-036976-4
  • Наличие:
    Есть в наличии
  • Срок доставки: 29 дней
  • 4.2 (7 оценок)
11.19€ -38%
6.94€
Нашли этот товар по более низкой цене?
Во-первых - Вы молодец!
Просим Вас сообщить нам:

Мы проверим данные, и если информация подтвердится мы снизим цену на товар

Loading
Loading

Описание

Сборник, посвященный 20-летию Физико-технологического института РАН, включает в себя статьи по актуальным проблемам микро- и наноэлектроники, микро- и наноэлектромеханики и твердотельных квантовых компьютеров. Рассмотрены перспективы реализации полномасштабных квантовых компьютеров на ионных ловушках в твердотельных структурах, проанализирован перенос электрона в одномерных многоямных структурах. Особое внимание уделено важнейшим вопросам физики и моделирования на-нотранзисторов (кремниевые в ультратонком кремнии на изоляторе, туннельные, с графеновым каналом и др.). Исследованы межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны. Представлены статьи по моделированию электромиграционного разрушения тонкопленочных проводников, прочности границы соединенных материалов в зависимости от их микроструктуры и содержания точечных дефектов, моделированию каналов нейтрализации источников пучков быстрых нейтралов, дается обзор плазменных процессов в технологии МЭМС.
Для специалистов в области микро- и наноэлектроники.

Характеристики

Copied!