Google 
Аннотация: Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
| Серия | Мир радиоэлектроники |
| Год выпуска | 2011 |
| ISBN | 978-5-94836-293-9 |
| Производитель | Техносфера |
| Количество томов | 1 |
| Количество страниц | 384 |
| Переплет | Твёрдый переплёт |
| Размеры | 260x195x29 мм |
| Цвет | Белый |
| Тип бумаги | офсетная (60-220 г/м2) |
| Вес | 847 |
| Язык | русский |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
- Модель: MYSH4964451
- ISBN: 978-5-94836-293-9
- Наличие:
-
Срок доставки: 21 день
- (9 оценок)
