Аннотация: Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
Книга представляет собой первый подробный обзор передовой технологии выращивания кристаллов нитрида галлия. Проведен анализ возможностей долгосрочного и краткосрочного применения объемных подложек на основе GaN, а также мотивация и задачи по внедрению соответствующей технологии в конкретные приборы.
Книга написана командой из 45 специалистов, признанных лидеров науки и промышленности, и подготовлена опытными редакторами. Издание окажется незаменимым ресурсом для инженеров, исследователей и студентов, работающих в области выращивания кристаллов GaN и занимающихся обработкой и изготовлением приборов на их основе как в сугубо научных, так и промышленных целях.
Серия | Мир радиоэлектроники |
Год выпуска | 2011 |
ISBN | 978-5-94836-293-9 |
Производитель | Техносфера |
Количество томов | 1 |
Количество страниц | 384 |
Переплет | Твёрдый переплёт |
Размеры | 260x195x29 мм |
Цвет | Белый |
Тип бумаги | офсетная (60-220 г/м2) |
Вес | 847 |
Язык | русский |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
Технология выращивания кристаллов нитрида галлия
-32%- Модель: MYSH4964451
- ISBN: 978-5-94836-293-9
- Наличие: Есть в наличии
-
14.85€ 10.10€
Во-первых - Вы молодец!
![Loading](/catalog/view/theme/default/stylesheet/download.gif)