Аннотация: Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.
Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

Автор/составитель	Вонг Б. П., Миттал А., Цао Ю.
Серия	Мир радиоэлектроники
Год выпуска	2014
ISBN	978-5-94836-377-6
Производитель	Техносфера
Дата выпуска	2014 г.
Количество томов	1
Количество страниц	432
Переплет	мягкий
Стандарт	5
Вес	452