Аннотация: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Автор/составитель | Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. |
Серия | Мир материалов и технологий |
Год выпуска | 2020 |
ISBN | 978-5-94836-521-3 |
Производитель | Техносфера |
Дата выпуска | 2018 г. |
Количество томов | 1 |
Количество страниц | 488 |
Переплет | мягкий |
Стандарт | 10 |
Вес | 500 |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
- Модель: MYSH4964968
- ISBN: 978-5-94836-521-3
- Наличие: Есть в наличии
- 11.34€
Во-первых - Вы молодец!