50% скидка на доставку при заказе от 34,99 €!*

Аннотация: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.



Бесплатная Доставка по Европе (EU)*

*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

  • Модель: MYSH4964968
  • ISBN: 978-5-94836-521-3
  • Наличие: Есть в наличии
  • 11.34€
Нашли этот товар по более низкой цене?
Во-первых - Вы молодец!
Просим Вас сообщить нам:

Мы проверим данные, и если информация подтвердится мы снизим цену на товар

Loading