Google 
Аннотация: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
| Автор/составитель | Акчурин Р. Х., Мармалюк А. А. |
| Серия | Мир материалов и технологий |
| Год выпуска | 2020 |
| ISBN | 978-5-94836-521-3 |
| Производитель | Техносфера |
| Дата выпуска | 2018 г. |
| Количество томов | 1 |
| Количество страниц | 488 |
| Переплет | мягкий |
| Стандарт | 10 |
| Вес | 500 |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
-18%- Модель: MYSH4964968
- ISBN: 978-5-94836-521-3
- Наличие: Есть в наличии
-
Срок доставки: 21 день
- (9 оценок)
-
19.16€ 15.71€
Во-первых - Вы молодец!
