Google 
Аннотация: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
| Автор/составитель | Красников Геннадий Яковлевич |
| Серия | Мир электроники |
| Год выпуска | 2011 |
| ISBN | 978-5-94836-289-2 |
| Производитель | Техносфера |
| Дата выпуска | 2011 г. |
| Издание | 2 |
| Количество томов | 1 |
| Количество страниц | 800 |
| Переплет | твердый |
| Формат | 70x100/16 (170x240 мм) |
| Тираж | 1000 |
| Стандарт | 5 |
| Вес | 1225 |
| Область образования | информатика, электроника, связь |
| Тип материала | научные издания, теории |
Бесплатная Доставка по Европе (EU)*
*Для заказов свыше 40, - евро Подробнее
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
- Модель: MYSH4967052
- ISBN: 978-5-94836-289-2
- Наличие:
-
Срок доставки: 21 день
- (9 оценок)
